igbt和sic的区别

1、igbt和sic的区别？igbtIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

2、sic金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

3、碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

4、SIC可在更宽的范围内保持低导通电阻，IGBT当用电设备的电力需求从低功率到高功率范围较宽时，低功率范围的效率并不高。

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