burstein效应

1、burstein效应？Burstein-Moss效应当半导体重掺杂时，费米能级进入导带，本征光吸收边向高能方向移动的现象称为Burstein-Moss效应。

2、通常发生在半导体重掺杂时。

3、莫斯-布尔斯坦效应（moss-bursteineffect）是由泡利不相容原理引起的，当在半导体中掺杂增加时其带隙改变，价带顶和导带中未占据能态发生分离。

4、n型重掺杂时由于费米能级在导带中而使带隙改变加大（p型时在价带中），由于载子浓度过高，在导带已经有一些电子填入时，使电子从价带跃迁至导带则需要更多的能量，满带阻碍热激发和光激发，从而效应是n型半导体中可以增强能带间隙宽，从而影响某物质的荧光发射和紫外吸收的峰位置。

5、该效应称之为BursteinMosseffect（莫斯-布尔斯坦效应），也称之为蓝移效应。

6、其常用于荧光光谱的解释中。

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